30 мая Омский НИИ приборостроения и ПО "Иртыш" с рабочим визитом посетили временный генеральный директор АО "Росэлектроника" И. И. Козлов и заместитель генерального директора по финансам и экономике АО "Росэлектроника" Л. Г. Александрова.
Во время визита в ОНИИП гостям был представлен производственный потенциал предприятия. В частности, руководство холдинга ознакомилось с импортозамещающей продукцией - перспективной системой беспроводной радиосвязи на основе технологии "TETRА". Также они посетили дизайн-центр проектирования СБИС - "система на кристалле", где ведущие специалисты центра осветили основные направления деятельности и представили свои разработки.
Кроме того, руководители АО "Росэлектроника" посетили модернизированное производство функциональной микроэлектроники. Гости высоко оценили специализированную элементную базу, создаваемую в Омском НИИ приборостроения. Особый интерес вызвали недавно разработанные на предприятии интегральные фильтры, выполненные на основе технологии низкотемпературной совместнообжигаемой керамики (LTCC).
На ПО "Иртыш" гости также познакомились с производством: побывали в цехах оснащенных современным оборудованием - в сборочном цехе № 17, гальваномалярном № 1 и в цехах механической обработки 14 корпуса.
Глава "Росэлектроники" встретился и с губернатором Омской области В. И. Назаровым. После встречи И. И. Козлов сообщил, что холдинг планирует до конца 2016 года завершить процесс интеграции своих предприятий в технологические кластеры. В рамках данной интеграционной программы на базе Омского НИИ приборостроения планируется сформировать кластер в сфере средств специальной связи, в который войдут АО "ОмПО "Иртыш", АО "ОПЗ им. Н.Г. Козицкого" и ряд других российских предприятий. Также он отметил, что руководство АО "Росэлектроника" поддерживает инициативу Правительства Омской области по созданию Технологического музея на базе Омского государственного технического университета, открытие которого приурочено к 300-летию Омска.
В завершении визита представителей АО "Росэлектроника" ждала выставка, на которой была представлена продукция ОНИИПа, "Иртыша" и завода им. Н. Г. Козицкого, а также экскурсия в заводской музей, где в гостевой книге И. И. Козлов оставил памятную надпись: "...Спасибо людям, знающим производство. Спасибо сибирякам, которые своим характером и силой воли держат на своих плечах промышленный потенциал России".
Кроме того, руководители АО "Росэлектроника" посетили модернизированное производство функциональной микроэлектроники. Гости высоко оценили специализированную элементную базу, создаваемую в Омском НИИ приборостроения. Особый интерес вызвали недавно разработанные на предприятии интегральные фильтры, выполненные на основе технологии низкотемпературной совместнообжигаемой керамики (LTCC).
На ПО "Иртыш" гости также познакомились с производством: побывали в цехах оснащенных современным оборудованием - в сборочном цехе № 17, гальваномалярном № 1 и в цехах механической обработки 14 корпуса.
Глава "Росэлектроники" встретился и с губернатором Омской области В. И. Назаровым. После встречи И. И. Козлов сообщил, что холдинг планирует до конца 2016 года завершить процесс интеграции своих предприятий в технологические кластеры. В рамках данной интеграционной программы на базе Омского НИИ приборостроения планируется сформировать кластер в сфере средств специальной связи, в который войдут АО "ОмПО "Иртыш", АО "ОПЗ им. Н.Г. Козицкого" и ряд других российских предприятий. Также он отметил, что руководство АО "Росэлектроника" поддерживает инициативу Правительства Омской области по созданию Технологического музея на базе Омского государственного технического университета, открытие которого приурочено к 300-летию Омска.
В завершении визита представителей АО "Росэлектроника" ждала выставка, на которой была представлена продукция ОНИИПа, "Иртыша" и завода им. Н. Г. Козицкого, а также экскурсия в заводской музей, где в гостевой книге И. И. Козлов оставил памятную надпись: "...Спасибо людям, знающим производство. Спасибо сибирякам, которые своим характером и силой воли держат на своих плечах промышленный потенциал России".
